写真1 会議会場のStrasbourg Convention Center
(写真は https://www.archdaily.com/801600/より)。
当日はすっきりしな い日が多かった。
写真2 ポスターセッションでのディスカッションの様子
(手前右が筆者)。
写真3 夜に正面真下から撮影したストラスブール
大聖堂。右側側 面で 30 分ごとに10 回近く
プロジェクションマッピングが行われて おり、
そちらも迫力があった。
写真 4 ストラスブール大聖堂の上から見た
ストラスブールの街並み。ヨーロッパ特有の歴史的な建物
が建ち並んでいる。写真中央には別の 聖堂も映っている。
2017 年 7月 24 日(月)〜 28 日(金)にフランス・ ストラスブールにあるStrasbourg Convention Centerで 開催された、第 12 回窒化物半導体国際会議(12th International Conference on Nitride Semiconductors; ICNS-12)に参加しました。III 族窒化物半導体は、 2014 年ノーベル物理学賞を日本人3名(1人は米国籍) が受賞したことで一躍有名になった材料で、青色・白色 発光ダイオード(LED)などに利用されています。 ICNS は窒化物半導体に関する主要な国際会議の1つで あり、1995 年から2年に1回ずつ開催されています。内 容も結晶成長、物性評価、光・電子デバイス、理論検 討など多岐にわたっています。 会議当日の開会式および閉会式において、800 件の 投稿および 20 件のレイトニュースが採択され、日本から の採択がもっとも多かったこと、また37ヶ国から762 名 の参加者があり、日本人がもっとも多かった旨の報告が ありました。もともと窒化物半導体は日本人研究者が多 い分野ではありますが、地元開催でない会議において最 大数を占めることは珍しく、日本人の会議への関心の高 さがうかがえました。会議は初日午前と最終日にプレナ リー講演が計6件行われました。また発表件数の 30%程度が招待講演および口頭講演、残りがポスター発表で した。発表はプレナリー講演を除いて、材料(結晶成長・ 評価)、光デバイス、電子デバイス、その他のデバイス、 理論・基礎、ナノの6分野に分けられたパラレルセッショ ンでした。私は "Mechanical properties of cubic-BN bulk single crystal evaluated by nanoindentation" (ナノインデンテーションによる立方晶 BN バルク単結晶 の機械的特性)なる題目で、材料分野でポスター発表 を行いました。